Head of laboratory
candidate of physical-mathematical sciences

Makhkamov  Shermakhmat Makhkamovich

Office Phone:
(998-71)-150-30-72,
289-31-01
 
makhkamov@inp.uz

 

 

Field of research

  • Physics of Semiconductors

Papers

  • Махкамов Ш., Т.урсунов Н.А., Каримов М., Саттиев А.Р., Ашуров М., Эрдонов М., Холмедов Х.М. Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32. Писма в ЖТФ, 2008. Т.34. Вып.13. С.69-74.
  • Ш.Махкамов, М.Каримов, Б.Л.Оксенгендлер, Н.А.Турсунов, А.Саттиев. Образование и радиационный отжиг разупорядоченных областей при нейтронном легировании полупроводников. Узбекский физический журнал. 2006, т 8, № 1-2c. 54-60.

  • Sh.Makhkamov, M.Karimov, Z.M. Khakimov, K.A. Begmatov, A.O.Kurbanov, Sh.A.Makhmudov, N.J.Odilova. Interaction deep level impurities the centers with radiation defects in silicon under irradiation.- Radiation Effects and Defects in Solids. -Paris, 2005, v.160, N8, P.349-356.

  • Махкамов Ш., Каримов М., Курбанов А.О., Махмудов Ш.А., Караходжаев А.К. К вопросу термостабильности электрофизических свойств p-Si и P-Si. - Известия ВУЗов. Физика, 2005. Вып. 12. стр. 80-82.