menyu
Новости

Академик Мухамаджон Собирович Юнусов

Махамаджон Юнусов родился 5 ноября 1932г. в Джалал-Абаде в промышленном городе Киргизстана, известном также своими курортами (серные и сероводородные источники).
   В 1950 г. стал студентом физико-математического факультета САГУ в Ташкенте. После окончания университета в 1955 г. работал младшим научным сотрудником ФТИ АН РУз в лаборатории космических лучей. Через несколько лет М.Юнусов изъявляет желание заниматься радиационной физикой полупроводников. В 1959-1962 гг. он аспирант ИЯФ и работает под руководством С.В.Стародубцева. В 1962-1967 гг. снова мл.научный сотрудник, затем старший инженер этого института.
   В 1967 г. защищает кандидатскую диссертацию и в 1967-1971 гг. – зам. директора по науке ФТИ АН РУз.
   В 1971-1978 гг. – зав.лабораторией ИЯФ АН РУз.
   В 1978-1979 гг. – директор СКБ-РТ с опытным заводом при институте.
   В 1979-1982 гг. – зам. директора по науке ИЯФ АН РУз.
   В 1981 г. становится доктором физ.-мат. наук.
   В 1982-1983 гг. - зав.лабораторией института.
   В 1983-1988 гг. – проректор по научно-исследовательской работе и зав. кафедрой Ташкентского электротехнического института связи.
   В 1987 г. избран членом-корреспондентом АН РУз.
   В 1988 г. – зам. генерального директора НПО Физика-Солнце АН РУз.
   В 1988-1989 гг. – директор ИЯФ АН РУ. 1989-1999 гг. – зав.лабораторией ИЯФ АН РУз .
   В 1992 г. присуждена Государственная премя Республики Узбекистана им. А.Р.Беруни
   В 1993 г. присвоено почетное звание «Зааслуженный деятель наук Узбекистана»
   С 1999 г. – ведущий научный сотрудник института.
   В 2000 г. избран действительным членом АН РУз.
Махамаджон Сабирович Юнусов умер от тяжелой болезни в 2004 г. Научная деятельность академика Махамаджон Юнусова - была посвящена исследованию электрических явлений и электронных процессов в легированных полупроводниках и приборных структурах на их основе при воздействии проникающих излучений.
   Им создана научная школа и новое актуальное научное направление по физике взаимодействия целого класса примесей с собственными и радиационными дефектами в полупроводниках и полупроводниковых приборах.
   Под руководством М.Юнусова проведены исследования по фундаментальным важнейшим и прикладным проблемам физики и техники полупроводников и радиационной физики твердого тела:
   - механизмы электронно-дырочных явлений в полупроводниках, легированных элементами платиновой группы;
   - диффузионные процессы, растворимость и взаимодействия примесей с собственными дефектами в полупроводниках;
   - фундаментальные проблемы образования и природа примесных и радиационных центров с глубоко лежащими энергетическими уровнями в полупроводниках;
   - радиационные явления в полупроводниках и в твердых телах вообще;
   - прикладные аспекты использования специально легированных полупроводников, создание важных для современной науки и техники полупроводниковых приборов с заданными свойствами и внедрение этих разработок в народное хозяйство;
   - разработка методов повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов и приборов, их внедрение;
   - проблемы надежности радиоэлектронной аппаратуры и элементов волоконно
   - оптических систем связи при воздействии радиации;
   - разработка и исследование светочувствительных структур для инфракрасной области спектра;
   - фундаментальные вопросы взаимодействия радиации с веществом и радиационной технологии направленного изменения свойств полупроводниковых материалов.
   Особенно важное значение имеют результаты исследования механизма диффузии элементов платиновой группы и образование ими электрически активных центров с радиационными дефектами. Эти исследования позволили М.Юнусову впервые выдвинуть новые, оригинальные представления о модели примесных центров с глубоколежащими энергетическими уровнями в типичном полупроводниковом материале – кремнии и совместно с учениками развить теорию таких центров на основе строго обоснованного математически метода функции Грина.
   Ценным вкладом в радиационную и в физику электронных взаимодействий в твердых телах являются полученные под руководством М.Юнусова теоретические и экспериментальные результаты по под пороговому дефектообразованию, экспериментально показана возможность образования дефектов структуры при возбуждении электронной подсистемы полупроводника и развита теория этого явления.
   М.Юнусову и его ученикам удалось выполнить уникально тонкие эксперименты, позволившие однозначно обнаружить радиационно - стимулированную диффузию примесных атомов в полупроводниках и разработать на основе этого эффекта технологию совершенствования параметров полупроводниковых приборов. По результатам выполненных исследований М.Юнусовым лично и в соавторстве с учениками опубликованы 6 монографий, более 300 научных работ в зарубежных и республиканских журналах.
   Получено 24 авторских свидетельств и патентов, имеющих важное практическое значение.
   Под руководством М.Юнусова выполнены и успешно защищены 3 докторских и 29 кандидатских диссертаций.