menyu
Новости

Лаборатория радиационной физики и техники твердотельной электроники

                                 
Заведующий лабораторией
Ташметов Маннаб Юсупович
Тел. рабочие:
(998-71)-289-37-70
email: mannab @ inp.uz



Основные направления исследований
  • Физика и техника полупроводников
  • Радиационная физика твердого тела
  • Радиационная технология полупроводников

Проводимые исследования

Исследуются закономерности терморадиационно-стимулированных процессов, и разрабатывается технология введения стабилизирующих добавок для улучшения характеристик монокристаллических полупроводниковых материалов (кремния) к внешним воздействиям.
Излучаются типы и параметры примесных, термических и радиационных дефектных состояний формированных в легированных монокристаллах кремния и р-п структурах на их основе, а также механизм взаимодействия стабилизаторов со структурными дефектами, формируемым при внешних воздействиях.
Стабилизаторы могут быть введены тремя способами: в процессе выращивания монокристаллов кремния, термической диффузией или нейтронной трансмутацией в кристаллы в пределах концентрации 1012 - 1016 см-3. При введении добавок механические свойства материала сохраняются без изменения, а электрофизические, фотоэлектрические и оптические свойства могут быть регулированы по заданной программе.
Предлагается технология получения твердых источников со стабилизирующими добавками, позволяющая производить однородное легирование пластин монокристаллического кремния термической диффузией.
Проводятся тесты на радиационные воздействия полупроводниковых материалов и изделий на их основе.
Разрабатывается метод компьютерного моделирования на основе нетрадиционного метода сильной связи, предложенного сотрудниками лаборатории, и метода молекулярной динамики для исследования наноструктуры кластерных и дефектных состояний в твердых телах, а также динамики этих систем под влиянием внешних воздействий.


Используемые методы:

  • Электрические
  • Фотоэлектрические
  • Спектрометрические
  • Структурные
  • Ядерно-аналитические
  • Компьютерное моделирование

Экспериментальная база лаборатории
 Введено в действие линейный ускоритель “Электроника У-003” с энергией ускоряемых электронов до 6 МэВ. Ускоритель предназначен для изучения влияния тормозного излучения электронов на свойства и характеристики различных материалов, изделий и радиационной модификации их свойств и характеристик.
 Модернизированный инфракрасный микроскоп МИК-1 на базе компьютера

Установка DLTS (нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней)

Установки, оборудования и приборы для получения р-п структур, измерения электрофизических, фотоэлектрических, рекомбинационных и других параметров и характеристик полупроводниковых материалов и изделий на их основе.

Важнейшие публикации за последные годы
  • S.R.Allayarova, Yu.A.Ol’khov, N.N.Loginova, M.Yu.Tashmetov, I.I.Sadikov. Features of the Molecular–Topological Structure of γ-Irradiated Powdered Tetrafluoroethylene–Perfluoro(propyl vinyl ether) Copolymer // High Energy Chemistry, 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 79–86.
  • Ю.А.Ольхов, С.Р.Аллаяров, Д.А.Диксон, М.Ю.Ташметов. Влияние гамма-облучения на молекулярно-топологическую структуру сополимера тетрафторэтилена и перфторпропилвинилового эфира // Химия высоких энергий, 2017, том 51, № 3, с. 167–171.
  • М.Ю.Ташметов, У.Т.Ашрапов, А.А.Дорошенко, В.П.Нестеров, К.В.Филатов. Устранение нештатных ситуаций с высокоактивными источниками кобальт-60 // Вопросы атомной науки и техники, Серия: Техническая физика и автоматизация. 2017, № 76, с.53-60.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П.Саидов, Ш.М.Махкамов. Комплекс радиационной обработки на базе ускорителя электронов “Электроника У-003” // Вопросы атомной науки и техники, 2017, Том 5 (111), с.91-97.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П. Саидов. Радиационная стерилизация хирургического одноразового халата и простыни из нетканого материал // Вопросы атомной науки и техники, Серия: Техническая физика и автоматизация. 2017, № 77, с.24-35.
  • Ю.Н.Коблик, Г.А.Кулабдуллаев, А.А.Ким, М.Ю.Ташметов, Г.А.Абдуллаева, Г.Т.Джураева, А.Ф.Небесный, Н.Б.Исматов. Цветовой визуальный индикатор поглощенной дозы ионизирующего излучения // Государственное патентное ведомство РУз. Заявка №IAP 20130487 от 26.13.2013. Получен патент на изобретение UZ IAP 05493 от 19.10.2017.
  • М.Каримов, Ш.Махкамов, Н.А.Турсунов, Ш.А.Махмудов, А.Р.Саттиев, А.А.Сулаймонов, А.К.Рафиков/ Способ измерения потока нейтронов кремниевым детектором n- типа // Государственное патентное ведомство РУз. Заявка № IAP 2012166. 27.04.2012 г. Получен патент на изобретение № IAP 05339., в 2017 г.
  • A.P.Mukhtarov, A.B.Normurodov, N.T.Sulaymonov, F.T.Umarova, Sh.Makhkamov. Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2 -Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method // J. Nano- Electron. Phys. 2016, V. 8, No 2, pp.02009-1-02009-8
  • А.З.Рахматов, С.П.Скорняков, А.В.Каримов, М.Ю.Ташметов. Влияние нейтронного облучения на параметры кремниевых ограничителей напряжения и метод прогнозирования их радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники, серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2016, № 3, с.10-19.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П.Саидов, Ш.М. Махкамов. Радиационная стерилизация картофельного крахмала и Седоник // Узбекский физический журнал, 2016, Том 18, №2, с.142-146.
  • A.P. Mukhtarov , A. B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova. Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method. J. Nano- Electron. Phys. V. 7, No 1, pp.01012-1-01012-7, (2015).
  • Sh. Makhkamov, R.A. Muminov, M. Karimov, N.A.Tursunov, A.R.Sattiev, M.N.Erdonov, Kh.M. Kholmedov. Influence of the Conductivity Type of Silicon on the Process of Radiation Degradation of Solar Sells. – Applied Solar Energy, 2013, Vol.49, No 2, pp.62-66.
  • Ш.Махкамов, Р.А.Муминов, М.Каримов, Н.А.Турсунов, А.Р.Саттиев, М.Н.Эрдонов, Х.М.Холмедов. Влияние типа проводимости кремния на процесс радиационной деградации солнечных элементов. – Международный журнал «Гелиотехника» , 2013 В. 2, стр. 2-7.
  • Ш.Махкамов, Р.А.Муминов, М.Каримов, К.П.Абдурахманов, Н.А Турсунов, А.Р.Саттиев, М.Н. Эрдонов, Х.М.Холмедов. Формирование радиационных дефектов в кремниевых солнечных элементах, легированных цинком. – Международный журнал «Гелиотехника» , 2013, В.4.
  • M.Yu.Tashmetov, V.T.Em, Sh.Makhkamov, N.B.Ismatov, C.H.Lee, Y.N.Choi, A.D.Pogrebnjak, U.H.Kalandarov. Neutron Difraction Stydi of Ordered Structures and Phase Transitions in Vanadium Subcarbide. –Journal of Nano- and Electronics Physics. 2013, Vol.5, No 1, pp.1018-1-4.
  • F. T. Umarova, A. B. Normurodov and N. N. Turaeva. Size-dependent structural properties of quasi-one-dimensional silicon clusters. Physica status solidi (c), Volume 9, Issue 10-11, pages 1904–1907, 2012.
  • F.T. Umarova, P.L. Tereshchuk, and A.B. Normurodov. Quasi-One-Dimensional Silicon Clusters as Elements of Novel Nanowires. Nanodevices and Nanomaterials for Ecological Security, NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics, Part 1, pp.143-148, 2012.
Ведущие специалисты лаборатории

  • Зав. лаб. д.ф.-м.н., с.н.с
Ташметов Маннаб Юсупович
Тел: (998-71)-289-37-70
  • к.ф-м.н. , с.н.с
Махкамов Шермахмат Махкамович
Тел: (998-71)-289-39-10
  • к.ф.-м.н., с.н.с.
Каланов Махмуд
Тел:(998-71)-289-26-74
  • к.ф.-м.н., с.н.с.
Сулаймонов Нодим Тургунпулатович
Тел:(998-71)-289-36-53
  • м.н.с.
Эрдонов Музаффар Назарович
Тел:(998-71)-289-36-53
  • м.н.с.
Саттиев Абдулазиз Расулжонович
Тел: (998-71)-289-36-53
  • м.н.с.
Нормуродов Асрор Базарович
Тел: (998-71)-289-36-53
  • м.н.с.
Юлдашова Ирода Икрамовна
Тел: (998-71)-289-37-20
  • м.н.с.
Бобоев Акромжон Йулдошбоевич
Тел: (998-71)-289-26-74